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工艺气体净化

高纯度,高效率

有效清除关键工艺气流中的分子杂质,提高PV产率

颇尔工艺气体净化系统可清除严重威胁PV/CIGS晶圆性能的杂质。分子杂质,也被称作气态或挥发性杂质,最近作为缺陷源而更受关注,可使用颇尔专家净化解决方案有效滤除。这些过滤器可排除水分、氧气、二氧化碳、一氧化碳、烃和金属羰基化合物等杂质。颇尔净化系统利用材料反应床,从而排除传统颗粒过滤无效区内气流中的杂质。使用高纯度材料可清除背景水平的污染物,不会在工艺流中产生金属或其它有害污染物。

 

CIGS类薄膜

 

PECVDCVD工具使用的常见工艺原料气体由硅烷、氢气、锗烷和氨构成。使用腐蚀性气体进行沉积后蚀刻,例如,氯化氢(HCl)和溴化氢(HBr)。工艺管路中的水分污染会导致与硅烷气体反应,形成二氧化硅核。如果发生核凝结,会形成硅烷,可聚集并形成颗粒。这种反应会发生于颗粒过滤器上游或下游。安装Gaskleen®净化器组件与颇尔AresKleen™ SIP材料将清除水分和硅烷,并明显减少颗粒形成。HClHBr都是高度腐蚀的气体,出现水分时会形成强酸和腐蚀多数金属,包括316L不锈钢。因此,为了避免两种气体管路以及相关设备受到腐蚀,清除两种气体中的水分非常关键,例如,调节器、阀门和MFC。通过使用AresKleen HCLPHBRP净化介质制成的颇尔净化器,可明显减少水分。

 

硅类薄膜

 

物理蒸汽沉积(PVD/溅射工具中存在的典型氩杂质水平为:水分(0.5ppm)、氧气(2ppm)和总烃(0.4ppm)。源自工艺气体和输气系统零件的以下污染物经常出现在真空室内:H2OO2COCO2H2N2、甲烷和非甲烷烃类。在大气条件下,这些污染物经常被吸附到室壁上,但在溅射沉积过程使用的典型工作压力(<200mT)下容易解吸。

 

热处理所需高温会加剧室壁释放气体,增加分子杂质。对于氩气净化,颇尔建议使用Gaskleen气体净化器组件,该组件同时使用AresKleen滤材和Ultramet-L™不锈钢滤材。APIMS测试数据显示AresKleen INP滤材对氩气中的含氧和含碳分子有强亲和性,可将这些杂质有效降至100ppt水平以下。

 

痕量污染气体会引起薄膜层出现缺陷,并且会增加箱式泵的计划外停机时间。氧气污染会导致溅射或PVD工具内的金属层和金属目标氧化不受控。痕量水蒸汽会导致氢气和氧气分子处理机舱和金属层。碳污染可能导致处理室和金属表面层上形成薄金属膜。

 

输气系统中发现的所有气体污染物和工艺气体基本上都会导致缺陷和增长处理时间,最终导致产率损失和低工具通量。这些因素会对工具总拥有成本(COO)产生负面影响,导致无法预测的成本,但可以使用颇尔的高级净化器技术降低这些成本。可以使用AresKleen™ INP滤材制成的颇尔净化器控制和减少痕量氧气和烃类。

 

Benefits:

 

  • 提高工艺稳定性
  • 提高面积/工艺效率
  • 减少硅/CIGS缺陷
  • 减小现有颗粒过滤器的改装
  • 定制滤材,以净化各种气体
  • 拥有成本(COO)低

 

颇尔工艺气体净化系统和材料可有效清除颗粒过滤无效区域内的杂质。请联系颇尔专家,帮助您优化工艺气体净化系统,通过减少缺陷和提高产率实现最大现场性能。

 

有关提高工艺效率的更多信息,请联系我们的过滤专家团队。

 

 
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